Оптико-электронный поверхностный, микропроц.,15 м х 90°, термоком., тампер, Uпит.12В, Iпотр.15мА, IP..
Оптико-электронный поверхностный, микропроц., 20 м х 8°, рег.дальности, термоком., тампер и датчик п..
Оптико-электронный поверхностный, 10 м х 5°, Uпит.12В, Iпотр.20мА, IP40, tраб.-30…+50°С, 107х107х64 ..
Оптико-электронный поверхностный, высота установки 2,5...5 м, "занавес" с углом 70°, Uпит.10…15В, Iп..
Оптико-электронный поверхностный с питанием по ШС, высота установки 2,5...5 м, "занавес" с углом 70°..
Оптико-электронный поверхностный, высота установки 2,5...5 м, "занавес" с углом 90°, Uпит.10…15В, Iп..
Оптико-электронный поверхностный взрывозащ. 0ExiaIIВТ6Х, высота установки 2,5...5 м, "занавес" с угл..
Поверхностный совмещенный ИК+разбития стекла, микропроц., АК - 6/9 м х 180°, min контр.площадь 0,1 м..
Поверхностный совмещенный ИК+разбития стекла, потолочный, микропроц., АК - 6 м х 120°, min контр.пло..
Поверхностный совмещенный ИК+разбития стекла, микропроц., с иммун.к живот.до 20кг, АК - 6/9 м х 180°..
Поверхностный совмещенный ИК(поверхностная зона)+разбития стекла, микропроц., АК - 6/9 м х 180°, min..
Совмещенный ИК+разбития стекла, АК - 6м х 180°, ИК - 12м х 90°, Uпит.10…15В, Iпотр.35мА, IP30, tраб...